隨著歐姆龍光耦繼電器G3VM-21MT的發(fā)布，我們可以了解下它的特征及應(yīng)用領(lǐng)域：

特點(diǎn)

（* 1）MOS FET ＝金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

（* 2）根據(jù)我們自己的研究，截止到2019年4月，采用“ T型電路結(jié)構(gòu)”的繼電器模塊將多個(gè)不同的MOS FET繼電器組合在一起。

（* 3）電子設(shè)備中通常使用的電路結(jié)構(gòu)，例如衰減器，以更大程度地減小泄漏電流。

（* 4）電路內(nèi)部發(fā)生的一種情況，電流通過(guò)絕緣層泄漏，否則會(huì)阻止電流通過(guò)。

（* 5）通過(guò)纏繞在玻璃管上的線圈的磁通量來(lái)切換（斷開(kāi)和閉合）位于玻璃管中的兩個(gè)帶有觸點(diǎn)的簧片。


特征

1．通過(guò)將泄漏電流減小到1pA或更低來(lái)提高設(shè)備的可靠性
泄漏電流一直是半導(dǎo)體繼電器的長(zhǎng)期缺點(diǎn)，G3VM-21MT通過(guò)將泄漏最小化到1pA或更低來(lái)解決該問(wèn)題。
G3VM-21MT成功地實(shí)現(xiàn)了低于或等于0.1pA的實(shí)際性能，同時(shí)將對(duì)應(yīng)用測(cè)量精度的影響降至最低。
２．更長(zhǎng)的生命周期和顯著降低的維護(hù)頻率
G3VM-21MT繼電器模塊的輸出電路由不使用物理觸點(diǎn)的半導(dǎo)體MOS FET繼電器組成，因此無(wú)需對(duì)觸點(diǎn)進(jìn)行維護(hù)以防磨損，因?yàn)椴粫?huì)產(chǎn)生電弧放電打開(kāi)和關(guān)閉電路。

３．縮小的安裝空間-通過(guò)節(jié)省空間和節(jié)省
布線的方式實(shí)現(xiàn)高密度安裝 G3VM-21MT通過(guò)將輸入和輸出電路的復(fù)雜接線圖納入內(nèi)部模塊，實(shí)現(xiàn)了5mm×3.75mm×2.7mm的緊湊尺寸，從而簡(jiǎn)化了PCB布線的應(yīng)用程序。

應(yīng)用領(lǐng)域